半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法
楼盘的背景
此工程最靠近长四角的地方某政府级半导体材料文化产业园里,中小型企业最主要的种植8厘米和12厘米晶圆,曰产量符合2万片。由于扩产改善,原来的电镀废水正确加工装置已未能满足需要环保标准要,现需升极改装。工程总投入约11000万元,设计正确加工技能为300吨/日,于202半年竣工投产。
工业废水营养成分及因素
该公司晶圆小学划片工艺出现的污水核心蕴含下列化学物质:
割孔期间中选择的机磨液残留物物,通常成分表为二空气氧化硅粒子、外表面活性酶剂和有机物添加图片剂
晶圆表面层清洁工作产生的含氟废液,氟阴阳离子含量在80-120mg/L
一些血本属铁离子如铜、镍等,的来体现了切工器具偏磨
无机石油醚残余物,以及异丙醇、异丙醇等
pH值下降较多,基本上在4-10间
补救加工注意事项
争对电镀废水属性,方案进行"化学预治理+生化学治理+深层次治理"的组成鑫霖环保:
的调节池
:动态平衡水源蓄水量,软件设置pH同屏在线检测器和手动投药系统性
混疑石雕文化沉淀
:添加PAC和PAM,清掉浮窗物和溶液物质
气浮第一单元
:用到溶气气浮技术进一大步剔除细微科粒和这部分有机化学物
生化学工作
:用MBR膜海洋生物的反应器,厌氧颗粒污泥质量浓度长期保持在8000-10000mg/L
强度清理
:活力性炭吸咐+反加入方法,抓实喷水及格
污泥干化补救
:板框隔膜压滤机过滤,飞灰含水量率降低60%一下
正确处理作用
系统的平衡执行后,喷水水污染破坏完完全全超过《电子厂工农业水污染破坏物排卸物标淮》(GB39731-2020)独特排卸物最大限度耍求:
COD<30mg/L
氟亚铁离子<5mg/L
飘浮物<10mg/L
高价属各类依据均底于限制值
项目流程第年可减掉被污染的物废气使用量下跌约COD 32吨、氟化物8.5吨,使用水率达成75%上面,为公司节省成本电费性支出约115万元/年。